6月24日，國早硅材中科院半導體所發布訃告：中國工程院院士、期半中國科學院半導體研究所研究員、導體能喝酒是優勢嗎我國著名半導體材料學家梁駿吾先生因病醫治無效，料奠梁駿歷不幸于2022年6月23日17時在北京逝世，基人享年89歲。吾院

　　梁駿吾院士1933年9月18日生于湖北武漢，士逝世簡1997年當選中國工程院院士。國早硅材他先后榮獲國家科委科技成果二等獎和新產品二等獎各1次，期半國家科技進步三等獎1次、導體能喝酒是優勢嗎中科院重大成果和科技進步一等獎3次、料奠梁駿歷二等獎4次，基人上海市科技進步二等獎1次等各種科技獎共20余次。吾院

　　梁駿吾院士從事半導體材料科學研究工作六十多年，士逝世簡是國早硅材我國早期半導體硅材料的奠基人。上世紀60年代解決了高純區熔硅的關鍵技術；1964年制備出室溫激光器用 GaAs 液相外延材料；1979年研制成功為大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優質硅區熔單晶；80年代首創了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問題；90年代初研究 MOCVD 生長超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學性能和超晶格結構控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平；他還在太陽電池用多晶硅的研究和產業化等方面發揮著積極作用。